Transición eléctrica en multicapas delgadas de VO2/SiO2 y VO2/TiO2, sintetizadas en substratos de Si(100)
Multicapas de VO2/SiO2 y VO2/TiO2 de tres periodos fueron sintetizadas sobre substratos monocristalinos de Si (100) con buffer de SiO2 y TiO2, respectivamente. La caracterización estructural por difracción de rayos X (XRD) de ambas multicapas, a temperatura ambiente, mostraron el pico de difracción...
Autores Principales: | Cruz de Gracia, Evgeni S., Santamaría L., Marciano, Schelp, Luiz F |
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Formato: | Artículo |
Idioma: | Español |
Publicado: |
2017
|
Materias: | |
Acceso en línea: |
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RepoUP182019-06-07T19:39:35Z http://up-rid.up.ac.pa/18/ Transición eléctrica en multicapas delgadas de VO2/SiO2 y VO2/TiO2, sintetizadas en substratos de Si(100) Cruz de Gracia, Evgeni S. Santamaría L., Marciano Schelp, Luiz F AC Collections. Series. Collected works Multicapas de VO2/SiO2 y VO2/TiO2 de tres periodos fueron sintetizadas sobre substratos monocristalinos de Si (100) con buffer de SiO2 y TiO2, respectivamente. La caracterización estructural por difracción de rayos X (XRD) de ambas multicapas, a temperatura ambiente, mostraron el pico de difracción correspondiente al plano cristalográfico (011) bien definido evidenciando la presencia de la fase VO2 (M1). Para [VO2/TiO2] x 3, el pico de difracción originado por los planos (011), mostró un ligero corrimiento hacia valores más bajos del ángulo, en relación al pico patrón. Las medidas del transporte electrónico en función de la temperatura, para las multicapas [VO2/SiO2] x 3, mostraron transición eléctrica a temperaturas de 55 °C y 58 °C y ancho de histéresis (H), de 9 °C y 6 °C, respectivamente. En el sistema [VO2/TiO2] x 3, la transición eléctrica ocurrió a 74 °C, con un ancho de histéresis sumamente estrecho (2 °C). Nuestros resultados sugieren que el comportamiento de la histéresis, así como el corrimiento mostrado por el pico experimental del plano (011), puede ser interpretado como consecuencia de la difusión de iones de Ti+4 hacia los sitios del V+4 en el VO2, debido a la alta temperatura del sustrato durante la deposición. Así, las impurezas de Ti+4 difundidas, actúan como núcleos de transformación de fase en el VO2, disminuyendo la energía de activación de la transformación de fase, explicando de esta manera la estreches de la histéresis observada 2017 Article PeerReviewed text es http://up-rid.up.ac.pa/18/1/Tecnociencia%20Articulo%204%20E.%20S.%20Cruz%20de%20Gracia.pdf Cruz de Gracia, Evgeni S. and Santamaría L., Marciano and Schelp, Luiz F (2017) Transición eléctrica en multicapas delgadas de VO2/SiO2 y VO2/TiO2, sintetizadas en substratos de Si(100). Tecnociencia, 19 (2). pp. 67-86. ISSN 16098102 |
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Universidad de Panamá |
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AC Collections. Series. Collected works Cruz de Gracia, Evgeni S. Santamaría L., Marciano Schelp, Luiz F Transición eléctrica en multicapas delgadas de VO2/SiO2 y VO2/TiO2, sintetizadas en substratos de Si(100) |
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Multicapas de VO2/SiO2 y VO2/TiO2 de tres periodos fueron sintetizadas sobre
substratos monocristalinos de Si (100) con buffer de SiO2 y TiO2, respectivamente.
La caracterización estructural por difracción de rayos X (XRD) de ambas multicapas,
a temperatura ambiente, mostraron el pico de difracción correspondiente al plano
cristalográfico (011) bien definido evidenciando la presencia de la fase VO2 (M1).
Para [VO2/TiO2] x 3, el pico de difracción originado por los planos (011), mostró un
ligero corrimiento hacia valores más bajos del ángulo, en relación al pico patrón. Las
medidas del transporte electrónico en función de la temperatura, para las multicapas
[VO2/SiO2] x 3, mostraron transición eléctrica a temperaturas de 55 °C y 58 °C y
ancho de histéresis (H), de 9 °C y 6 °C, respectivamente. En el sistema
[VO2/TiO2] x 3, la transición eléctrica ocurrió a 74 °C, con un ancho de histéresis
sumamente estrecho (2 °C). Nuestros resultados sugieren que el comportamiento de
la histéresis, así como el corrimiento mostrado por el pico experimental del plano
(011), puede ser interpretado como consecuencia de la difusión de iones de Ti+4 hacia
los sitios del V+4 en el VO2, debido a la alta temperatura del sustrato durante la
deposición. Así, las impurezas de Ti+4 difundidas, actúan como núcleos de
transformación de fase en el VO2, disminuyendo la energía de activación de la
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